日前，浙江廣芯微電子有限公司6英寸高端特色硅基晶圓代工項目（以下簡稱“廣芯微電子項目”）封頂。

       消息顯示，廣芯微電子項目計劃總投資約24億元，總占地面積148畝，于2月11日正式開工建設。截至目前，項目已完成投資2.1億元，僅用109天，便實現(xiàn)總建筑面積4.56萬平方米的項目主體結(jié)構(gòu)封頂。

       項目建設全部完成投產(chǎn)后，可實現(xiàn)年產(chǎn)折合6英寸240萬片特色工藝硅基功率半導體晶圓及年產(chǎn)3.6萬片第三代半導體碳化硅等晶圓的生產(chǎn)能力，年產(chǎn)值達30億元。

       據(jù)了解，廣芯微電子項目的落戶為麗水經(jīng)開區(qū)進一步完善功率半導體產(chǎn)業(yè)“硅片—晶圓代工—設計公司”的全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)圈布局，初步形成了“材料、裝備、設計、制造、封測、應用”的半導體產(chǎn)業(yè)鏈雛形。

       同日，民德電子公告表示，公司于2021年10月向浙江廣芯微電子增資人民幣6000萬元；2022年3月，民德電子向浙江廣芯微電子再次增資人民幣1.5億元。

       公告指出，浙江廣芯微電子于2021年10月注冊成立，主營業(yè)務為高端特色工藝半導體晶圓代工業(yè)務，是公司smartIDM生態(tài)圈戰(zhàn)略的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，一期規(guī)劃6英寸硅基120萬片/年的晶圓代工產(chǎn)能，目前正處于建設階段。

       民德電子透露稱，廣芯微電子項目預計將于2023年上半年投產(chǎn)，項目投產(chǎn)后，將以公司成熟的MOS場效應二極管（MFER）產(chǎn)品為基礎，并逐步開拓IGBT、超級結(jié)MOS、SiC器件等中高端功率器件產(chǎn)品。

       民德電子表示，公司致力于打造功率半導體的smartIDM生態(tài)圈，即通過資本參股或控股的方式，打通功率半導體全產(chǎn)業(yè)鏈。公司目前完成了在功率半導體設計、原材料硅片以及晶圓代工等關(guān)鍵環(huán)節(jié)的布局，功率半導體的smartIDM生態(tài)圈已初步成形。